型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: ON Semiconductor FGA20S140P N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1400 V, 3引脚 TO-3PN封装42535+￥15.841850+￥15.1648200+￥14.7857500+￥14.69091000+￥14.59612500+￥14.48785000+￥14.42017500+￥14.3524 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON Semiconductor FGA25N120ANTDTU N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装73115+￥18.322250+￥17.5392200+￥17.1007500+￥16.99111000+￥16.88152500+￥16.75625000+￥16.67797500+￥16.5996 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。48651+￥46.860210+￥44.1715100+￥42.1742250+￥41.8669500+￥41.55961000+￥41.21392500+￥40.90675000+￥40.7146 -
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SGF5N150UFTU IGBT Single Transistor, 10A, 1.5kV, 62.5W, 1.5kV, SOIC, 3Pins24615+￥32.034650+￥30.6656200+￥29.8990500+￥29.70731000+￥29.51562500+￥29.29665000+￥29.15977500+￥29.0228 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。22765+￥18.930650+￥18.1216200+￥17.6686500+￥17.55531000+￥17.44202500+￥17.31265000+￥17.23177500+￥17.1508 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。38791+￥55.302610+￥52.1295100+￥49.7723250+￥49.4097500+￥49.04711000+￥48.63912500+￥48.27655000+￥48.0498 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。943310+￥8.7480100+￥8.3106500+￥8.01901000+￥8.00442000+￥7.94615000+￥7.87327500+￥7.814910000+￥7.7857 -
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品类: IGBT晶体管描述: FGA20N120FTD 系列 1200 V 40 A 场截止 沟道 IGBT-TO-3PN95705+￥23.435150+￥22.4336200+￥21.8728500+￥21.73261000+￥21.59232500+￥21.43215000+￥21.33207500+￥21.2318 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 330V 90A 3Pin(3+Tab) TO-3PN Tube85185+￥14.742050+￥14.1120200+￥13.7592500+￥13.67101000+￥13.58282500+￥13.48205000+￥13.41907500+￥13.3560 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 50A 3Pin(3+Tab) TO-3PN Rail66145+￥19.948550+￥19.0960200+￥18.6186500+￥18.49931000+￥18.37992500+￥18.24355000+￥18.15837500+￥18.0730 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 250000mW 3Pin(3+Tab) TO-3PN Rail135610+￥8.7360100+￥8.2992500+￥8.00801000+￥7.99342000+￥7.93525000+￥7.86247500+￥7.804210000+￥7.7750 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 300V 400A TO3P80991+￥57.022810+￥53.7510100+￥51.3205250+￥50.9466500+￥50.57271000+￥50.15202500+￥49.77815000+￥49.5444 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P79001+￥46.628410+￥43.9530100+￥41.9656250+￥41.6598500+￥41.35401000+￥41.01012500+￥40.70435000+￥40.5132 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 190000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P84021+￥47.933810+￥45.1835100+￥43.1404250+￥42.8261500+￥42.51181000+￥42.15822500+￥41.84395000+￥41.6474 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3Pin(3+Tab) TO-3P79465+￥27.144050+￥25.9840200+￥25.3344500+￥25.17201000+￥25.00962500+￥24.82405000+￥24.70807500+￥24.5920 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，On Semiconductor ### IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。64865+￥17.655350+￥16.9008200+￥16.4783500+￥16.37271000+￥16.26702500+￥16.14635000+￥16.07097500+￥15.9954 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 235800mW 3Pin(3+Tab) TO-3P28591+￥39.198610+￥36.9495100+￥35.2787250+￥35.0217500+￥34.76471000+￥34.47552500+￥34.21855000+￥34.0578 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 400000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P44461+￥75.037510+￥71.7750100+￥71.1878250+￥70.7310500+￥70.01331000+￥69.68702500+￥69.23035000+￥68.8388 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。40951+￥248.699010+￥242.211250+￥237.2372100+￥235.5071200+￥234.2096500+￥232.47951000+￥231.39822000+￥230.3169 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。51495+￥21.726950+￥20.7984200+￥20.2784500+￥20.14851000+￥20.01852500+￥19.86995000+￥19.77717500+￥19.6842
